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BSC500N20NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 24 A, 0.05 ohm, TDSON, Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호BSC500N20NS3GATMA1
주문 코드2725817
Product RangeOptiMOS 3 Series
AKABSC500N20NS3 G, SP000998292
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호BSC500N20NS3GATMA1
주문 코드2725817
Product RangeOptiMOS 3 Series
AKABSC500N20NS3 G, SP000998292
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id24A
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation96W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
제품 개요
BSC500N20NS3GATMA1 is a N-channel OptiMOS 3 power-transistor. Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.
- Continuous drain current is 24A
- Gate source voltage is ±20V
- Power dissipation is 96W
- Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance R DS(on) is 42mohm
- Qualified according to JEDEC1 for target application
- Operating and storage temperature range from -55 to 150°C
- Available in 8 pin TDSON package
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
24A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
96W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000149