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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호BSM50GD120DN2BOSA1
주문 코드1496949
AKABSM50GD120DN2, SP000100359
기술 데이터 시트
IGBT ConfigurationSix Pack [Full Bridge]
Continuous Collector Current72A
Collector Emitter Saturation Voltage3V
Power Dissipation350W
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleEconoPACK
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
제품 개요
The BSM50GD120DN2 is an IGBT Low Power Module with fast free wheel diodes and insulated metal base plate.
- 3-phase Full bridge
- 100ns Rise time
- 100ns Fall time
- ±20V Gate-emitter voltage
애플리케이션
Industrial
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
IGBT Configuration
Six Pack [Full Bridge]
Collector Emitter Saturation Voltage
3V
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
-
Product Range
-
Continuous Collector Current
72A
Power Dissipation
350W
Transistor Case Style
EconoPACK
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.18