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DF17MR12W1M1HFB86BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Booster, N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.024 ohm, Module
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호DF17MR12W1M1HFB86BPSA1
주문 코드4694658
Product RangeEasyPACK Series
AKADF17MR12W1M1HF_B86, SP006008193
기술 데이터 시트
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩119,628 |
| 5+ | ₩110,883 |
| 10+ | ₩101,741 |
| 50+ | ₩96,793 |
가격기준Each
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₩119,628
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호DF17MR12W1M1HFB86BPSA1
주문 코드4694658
Product RangeEasyPACK Series
AKADF17MR12W1M1HF_B86, SP006008193
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationBooster
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins21Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEasyPACK Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Booster
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
No. of Pins
21Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyPACK Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001