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FF6MR12W2M1B70BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, Module
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호FF6MR12W2M1B70BPSA1
주문 코드3755140
Product RangeCoolSiC Trench
AKASP004486482, FF6MR12W2M1_B70
기술 데이터 시트
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호FF6MR12W2M1B70BPSA1
주문 코드3755140
Product RangeCoolSiC Trench
AKASP004486482, FF6MR12W2M1_B70
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.00563ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins38Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolSiC Trench
SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
0.00563ohm
No. of Pins
38Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (08-Jul-2021)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
-
Product Range
CoolSiC Trench
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (08-Jul-2021)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00542