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IGB110S10S1XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IGB110S10S1XTMA1
주문 코드4680814
Product RangeCoolGaN Series
AKAIGB110S10S1, SP005751575
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IGB110S10S1XTMA1
주문 코드4680814
Product RangeCoolGaN Series
AKAIGB110S10S1, SP005751575
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id23A
Drain Source On State Resistance0.011ohm
Typical Gate Charge3.4nC
Transistor Case StyleTSON
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins4Pins
Product RangeCoolGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
Transistor Case Style
TSON
No. of Pins
4Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
23A
Typical Gate Charge
3.4nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001