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IGT65R025D2XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Surface Mount
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IGT65R025D2XTMA1
주문 코드4640393RL
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Typical Gate Charge11nC
No. of Pins8Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
No. of Pins
8Pins
Continuous Drain Current Id
70A
Typical Gate Charge
11nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001