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IGT65R055D2XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Surface Mount
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IGT65R055D2XTMA1
주문 코드4640395
Product RangeCoolGaN G5 Series
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.066ohm
Typical Gate Charge4.7nC
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeCoolGaN G5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.066ohm
Transistor Case Style
HSOF
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
31A
Typical Gate Charge
4.7nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001