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IMBG120R012M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG120R012M2HXTMA1
주문 코드4376958
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
AKAIMBG120R012M2H, SP005825843
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기술 데이터 시트
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩34,651 |
| 5+ | ₩30,048 |
| 10+ | ₩25,445 |
| 50+ | ₩25,215 |
| 100+ | ₩24,985 |
| 250+ | ₩24,486 |
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₩34,651
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG120R012M2HXTMA1
주문 코드4376958
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
AKAIMBG120R012M2H, SP005825843
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id144A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0122ohm
Transistor Case StyleTO-263HV
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
144A
Drain Source On State Resistance
0.0122ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
600W
Product Range
CoolSiC Mosfet 1200V G2
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001