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IMBG120R053M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG120R053M2HXTMA1
주문 코드4376964
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
AKAIMBG120R053M2H, SP005825853
기술 데이터 시트
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩13,055 |
| 5+ | ₩10,993 |
| 10+ | ₩8,931 |
| 50+ | ₩8,024 |
| 100+ | ₩7,116 |
| 250+ | ₩6,974 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩13,055
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG120R053M2HXTMA1
주문 코드4376964
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
AKAIMBG120R053M2H, SP005825853
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id41A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0526ohm
Transistor Case StyleTO-263HV
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation205W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
41A
Drain Source On State Resistance
0.0526ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
205W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001