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IMBG120R350M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG120R350M1HXTMA1
주문 코드3582467
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
AKAIMBG120R350M1H, SP004463802
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기술 데이터 시트
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|---|---|
| 1+ | ₩8,523 |
| 10+ | ₩5,660 |
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| 500+ | ₩3,996 |
| 1000+ | ₩3,413 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG120R350M1HXTMA1
주문 코드3582467
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
AKAIMBG120R350M1H, SP004463802
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id4.7A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.35ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation65W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
4.7A
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
65W
Product Range
CoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001637