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IMT40R011M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMT40R011M2HXTMA1
주문 코드4538824RL
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
AKAIMT40R011M2H, SP005915790
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMT40R011M2HXTMA1
주문 코드4538824RL
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
AKAIMT40R011M2H, SP005915790
기술 데이터 시트
Continuous Drain Current Id144A
Drain Source Voltage Vds400V
Drain Source On State Resistance0.0144ohm
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation429W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
IMT40R011M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 8 pin HSOF package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 11.3mohm RDS(on), 144A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
기술 사양
Continuous Drain Current Id
144A
Drain Source On State Resistance
0.0144ohm
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
429W
Product Range
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Drain Source Voltage Vds
400V
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001