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IMT65R010M2HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMT65R010M2HXUMA1
주문 코드4677106RL
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
AKAIMT65R010M2H, SP006051121
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMT65R010M2HXUMA1
주문 코드4677106RL
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
AKAIMT65R010M2H, SP006051121
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id168A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance9100µohm
Transistor Case StyleHSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation681W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
168A
Drain Source On State Resistance
9100µohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
681W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001