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IPB60R125C6ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPB60R125C6ATMA1
주문 코드1860816
Product RangeCoolMOS C6
AKAIPB60R125C6, SP000687456
기술 데이터 시트
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩8,045 |
| 10+ | ₩6,564 |
| 100+ | ₩5,315 |
| 500+ | ₩4,865 |
| 1000+ | ₩4,139 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPB60R125C6ATMA1
주문 코드1860816
Product RangeCoolMOS C6
AKAIPB60R125C6, SP000687456
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation219W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C6
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
219W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
2Pins
Product Range
CoolMOS C6
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00143