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IPB65R110CFDAATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPB65R110CFDAATMA1
주문 코드2726046
Product RangeCoolMOS CFDA
AKAIPB65R110CFDA, SP000896402
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPB65R110CFDAATMA1
주문 코드2726046
Product RangeCoolMOS CFDA
AKAIPB65R110CFDA, SP000896402
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id31.2A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation277.8mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFDA
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
650V CoolMOS™ CFDA power transistor a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs.
- Designed according to the superjunction (SJ) principle
- Ultra-fast body diode
- Very high commutation ruggedness
- Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and EOSS
- Easy to use/drive
- Qualified according to AEC Q101
- Designed for switching applications
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
31.2A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
277.8mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFDA
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
관련 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002