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IPDD60R080G7XTMA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 29 A, 0.069 ohm, HDSOP, Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPDD60R080G7XTMA1
주문 코드2888462
Product RangeCoolMOS C7 Gold
AKAIPDD60R080G7, SP001632824
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPDD60R080G7XTMA1
주문 코드2888462
Product RangeCoolMOS C7 Gold
AKAIPDD60R080G7, SP001632824
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.069ohm
Transistor Case StyleHDSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation174W
No. of Pins10Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C7 Gold
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
174W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.069ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
10Pins
Product Range
CoolMOS C7 Gold
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.008