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IPP60R199CPXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Through Hole
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| 10+ | ₩4,248 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPP60R199CPXKSA1
주문 코드1664064
AKAIPP60R199CP, SP000084278
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.199ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation139W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The IPP60R199CP is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is designed for hard switching topologies, server and telecom applications.
- Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Very fast switching
- High current capability
- Significant reduction of conduction and switching losses
- High power density and efficiency for superior power conversion systems
- Best-in-class performance ratio
애플리케이션
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Alternative Energy
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
139W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.199ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00195