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IPT015N10NF2SATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 315 A, 1500 µohm, HSOF, Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPT015N10NF2SATMA1
주문 코드4134240
Product RangeStronglRFET Series
AKASP005679723, IPT015N10NF2S
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기술 데이터 시트
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩4,596 |
| 50+ | ₩3,928 |
| 100+ | ₩3,260 |
| 500+ | ₩3,013 |
| 1000+ | ₩2,656 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPT015N10NF2SATMA1
주문 코드4134240
Product RangeStronglRFET Series
AKASP005679723, IPT015N10NF2S
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id315A
Drain Source On State Resistance1500µohm
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation300W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStronglRFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
315A
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
1500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
StronglRFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00175