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IPT111N20NFDATMA1
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 96 A, 0.0111 ohm, HSOF, Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPT111N20NFDATMA1
주문 코드2803401RL
Product RangeOptiMOS 3 Series
AKAIPT111N20NFD, SP001340384
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPT111N20NFDATMA1
주문 코드2803401RL
Product RangeOptiMOS 3 Series
AKAIPT111N20NFD, SP001340384
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id96A
Drain Source On State Resistance0.0111ohm
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation375W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
제품 개요
- 200V OptiMOS™ 3 power transistor
- N-channel, normal level
- Fast diode(FD) with reduced Qrr
- Optimized for hard commutation ruggedness
- Very low on-resistance RDS(on)
- 175°C operating temperature
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
96A
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.0111ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.004536