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IPW65R029CFD7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Through Hole
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPW65R029CFD7XKSA1
주문 코드3582470
Product RangeCoolMOS CFD7
AKAIPW65R029CFD7, SP005413355
기술 데이터 시트
395 재고
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩13,697 |
| 5+ | ₩12,589 |
| 10+ | ₩11,481 |
| 50+ | ₩11,473 |
| 100+ | ₩11,465 |
| 250+ | ₩11,383 |
가격기준Each
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPW65R029CFD7XKSA1
주문 코드3582470
Product RangeCoolMOS CFD7
AKAIPW65R029CFD7, SP005413355
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id69A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation305W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD7
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
69A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
305W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFD7
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002