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IRF100B201
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 192 A, 4200 µohm, TO-220AB, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,430 |
| 10+ | ₩1,999 |
| 100+ | ₩1,843 |
| 500+ | ₩1,488 |
| 1000+ | ₩1,441 |
| 5000+ | ₩1,394 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF100B201
주문 코드2709888
Product RangeStrongIRFET, HEXFET
AKASP001561498
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id192A
Drain Source On State Resistance4200µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation441W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET, HEXFET
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
HEXFET® power MOSFET suitable for use in brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/AC inverters , DC/DC and AC/DC converters.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
192A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
441W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4200µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET, HEXFET
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002268