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IRF5802TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Surface Mount
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF5802TRPBF
주문 코드1298505
AKASP001561828
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id900mA
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The IRF5802TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters, DC switches and load switch.
- Fully characterized avalanche voltage and current
- Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
- Halogen-free
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
900mA
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000059