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IRF7103TRPBF
Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF7103TRPBF
주문 코드2467996RL
AKASP001562004
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Drain Source Voltage Vds50V
Drain Source Voltage Vds P Channel50V
Continuous Drain Current Id3A
On Resistance Rds(on)0.11ohm
Continuous Drain Current Id N Channel3A
Continuous Drain Current Id P Channel3A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.11ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.11ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation Pd2W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
IRF7103TRPBF의 대체 제품
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제품 개요
The IRF7103TRPBF is a dual N-channel MOSFET designed for vapour phase, infrared or wave soldering techniques. It has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
- Advanced process technology
- Ultra low ON-resistance
- Surface-mount device
- Dynamic dV/dt rating
- Fast switching performance
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Drain Source Voltage Vds P Channel
50V
On Resistance Rds(on)
0.11ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.11ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
Continuous Drain Current Id
3A
Continuous Drain Current Id N Channel
3A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.11ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
-
기술 문서 (1)
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00031