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IRF7807APBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 8.3 A, 0.025 ohm, SOIC, Surface Mount
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF7807APBF
주문 코드9102930
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id8.3A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
IRF7807APBF의 대체 제품
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제품 개요
The IRF7807APBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET to achieve an unprecedented balance of ON-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make them ideal for high efficiency DC-to-DC converters that power the latest generation of mobile microprocessors.
- Low conduction losses
- Low switching losses
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.3A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
기술 문서 (1)
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000167