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IRG4BC30KDPBF
IGBT, 28 A, 2.21 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pins
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRG4BC30KDPBF
주문 코드8650390
Product RangeIRG4
AKASP001532644
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current28A
Collector Emitter Saturation Voltage2.21V
Power Dissipation100W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220AB
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeIRG4
제품 개요
The IRG4BC30KDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses.
- IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes
애플리케이션
Motor Drive & Control, Alternative Energy, Power Management, Consumer Electronics, Maintenance & Repair
기술 사양
Continuous Collector Current
28A
Power Dissipation
100W
Transistor Case Style
TO-220AB
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
IRG4
Collector Emitter Saturation Voltage
2.21V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002667