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IRG4PC40FDPBF
IGBT, 49 A, 1.85 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pins
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRG4PC40FDPBF
주문 코드8650527
AKASP001540552
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current49A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation160W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247AC
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
제품 개요
The IRG4PC40FDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for medium operating frequencies 1 to 5kHz in hard switching, <gt/>20kHz in resonant mode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED® diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.
- Optimized for specific application conditions
- Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Continuous Collector Current
49A
Power Dissipation
160W
Transistor Case Style
TO-247AC
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
기술 문서 (1)
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00567