페이지 인쇄
IRG4PH30KDPBF
IGBT, 20 A, 3.1 V, 100 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pins
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRG4PH30KDPBF
주문 코드9105050
Product RangeIRG4
AKASP001536034
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current20A
Collector Emitter Saturation Voltage3.1V
Power Dissipation100W
Transistor Case StyleTO-247AC
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeIRG4
IRG4PH30KDPBF의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
제품 개요
The IRG4PH30KDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses.
- Combines low conduction losses with high switching speed
- Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations
- IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes
- Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible
애플리케이션
Motor Drive & Control, Alternative Energy, Power Management
기술 사양
Continuous Collector Current
20A
Power Dissipation
100W
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Collector Emitter Saturation Voltage
3.1V
Transistor Case Style
TO-247AC
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
IRG4
기술 문서 (1)
관련 제품
6개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00567