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IRG4PSC71UDPBF
IGBT, 85 A, 1.95 V, 350 W, 600 V, TO-274AA, 3 Pins
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRG4PSC71UDPBF
주문 코드8650764
Product RangeIRG4
AKASP001545818
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current85A
Collector Emitter Saturation Voltage1.95V
Power Dissipation350W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-274AA
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeIRG4
IRG4PSC71UDPBF의 대체 제품
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제품 개요
The IRG4PSC71UDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency (minimum switching and conduction losses) than prior generations. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations.
- Creepage distance increased to 5.35mm
- High efficiency
- Maximum power density
- Optimized for specific application conditions
- HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBTs
애플리케이션
Alternative Energy, Power Management, Maintenance & Repair, Motor Drive & Control
기술 사양
Continuous Collector Current
85A
Power Dissipation
350W
Transistor Case Style
TO-274AA
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
IRG4
Collector Emitter Saturation Voltage
1.95V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
기술 문서 (1)
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.006804