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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRG4PSC71UDPBF
주문 코드8650764
Product RangeIRG4
AKASP001545818
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current85A
Collector Emitter Saturation Voltage1.95V
Power Dissipation350W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-274AA
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeIRG4
IRG4PSC71UDPBF의 대체 제품
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제품 개요
The IRG4PSC71UDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency (minimum switching and conduction losses) than prior generations. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations.
- Creepage distance increased to 5.35mm
- High efficiency
- Maximum power density
- Optimized for specific application conditions
- HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBTs
애플리케이션
Alternative Energy, Power Management, Maintenance & Repair, Motor Drive & Control
기술 사양
Continuous Collector Current
85A
Power Dissipation
350W
Transistor Case Style
TO-274AA
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
IRG4
Collector Emitter Saturation Voltage
1.95V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
기술 문서 (1)
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.006804