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IRG4RC10SDPBF
IGBT, 14 A, 1.7 V, 38 W, 600 V, TO-252AA, 3 Pins
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRG4RC10SDPBF
주문 코드8659559
Product RangeIRG4
AKASP001545958
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current14A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation38W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-252AA
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product RangeIRG4
제품 개요
The IRG4RC10SDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. Minimizes power dissipation at up to 3kHz PWM frequency in inverter drives, up to 4kHz in brushless DC drives. The HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBT. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.
- Tight parameter distribution
- High efficiency
- Optimized for specific application conditions
- Lower losses than MOSFET's conduction and diode losses
- 1.1V at 2A Typical extremely low voltage drop
애플리케이션
Lighting, Power Management
기술 사양
Continuous Collector Current
14A
Power Dissipation
38W
Transistor Case Style
TO-252AA
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
IRG4
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
기술 문서 (1)
관련 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000829