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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRG4RC10SDPBF
주문 코드8659559
Product RangeIRG4
AKASP001545958
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current14A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation38W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-252AA
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product RangeIRG4
제품 개요
The IRG4RC10SDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. Minimizes power dissipation at up to 3kHz PWM frequency in inverter drives, up to 4kHz in brushless DC drives. The HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBT. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.
- Tight parameter distribution
- High efficiency
- Optimized for specific application conditions
- Lower losses than MOSFET's conduction and diode losses
- 1.1V at 2A Typical extremely low voltage drop
애플리케이션
Lighting, Power Management
기술 사양
Continuous Collector Current
14A
Power Dissipation
38W
Transistor Case Style
TO-252AA
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
IRG4
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
기술 문서 (1)
관련 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000829