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IRGIB7B60KDPBF
IGBT, 12 A, 2.2 V, 39 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRGIB7B60KDPBF
주문 코드8659648
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current12A
Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
Power Dissipation39W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220FP
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
제품 개요
The IRGIB7B60KDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It features low VCE (on) non-punch through IGBT technology and excellent current sharing in parallel operation.
- Square RBSOA
- Positive VCE (on) temperature coefficient
- Rugged transient performance
- Low EMI
- 10µs Short-circuit capability
애플리케이션
Motor Drive & Control, Consumer Electronics, Lighting, Alternative Energy, Power Management
기술 사양
Continuous Collector Current
12A
Power Dissipation
39W
Transistor Case Style
TO-220FP
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.2V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
기술 문서 (1)
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002