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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호S29GL256S90FHI010
주문 코드4128147
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
AKASP005664645, S29GL256S90FHI010
기술 데이터 시트
1,719 재고
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수량 | 가격 |
---|---|
1+ | ₩10,941 |
10+ | ₩10,083 |
25+ | ₩9,868 |
50+ | ₩9,828 |
100+ | ₩8,822 |
250+ | ₩8,698 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호S29GL256S90FHI010
주문 코드4128147
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
AKASP005664645, S29GL256S90FHI010
기술 데이터 시트
Flash Memory TypeParallel NOR
Memory Size256Mbit
Memory Density256Mbit
Memory Configuration32M x 8bit
Flash Memory Configuration32M x 8bit
IC Interface TypeParallel
InterfacesParallel
IC Case / PackageFBGA
Memory Case StyleFBGA
No. of Pins64Pins
Clock Frequency-
Clock Frequency Max-
Access Time90ns
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
S29GL256S90FHI010 is a S29GL256 MIRRORBIT™ Eclipse flash memory fabricated on 65-nm process technology. This device offers a fast page access time as fast as 15ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. It features a write buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. It makes this device ideal for today’s embedded applications requiring higher density, better performance, and lower power consumption.
- 90ns random access time speed option, industrial temperature range from -40°C to 85°C
- Fortified ball-grid array (LAA064) 13 x 11mm package type
- VIO = VCC is 2.7V to 3.6V, highest address sector protected
- ×16 data bus, asynchronous 32byte page read
- 512byte programming buffer, programming in page multiples, up to a maximum of 512bytes
- Single word and multiple program on same word options
- Automatic error checking and correction internal hardware ECC with single bit error correction
- Separate 1024byte one time program (OTP) array with two lockable regions
- Volatile and non-volatile protection methods for each sector
- 100000 program / erase cycles, 20 years data retention
기술 사양
Flash Memory Type
Parallel NOR
Memory Density
256Mbit
Flash Memory Configuration
32M x 8bit
Interfaces
Parallel
Memory Case Style
FBGA
Clock Frequency
-
Access Time
90ns
Supply Voltage Max
3.6V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Memory Size
256Mbit
Memory Configuration
32M x 8bit
IC Interface Type
Parallel
IC Case / Package
FBGA
No. of Pins
64Pins
Clock Frequency Max
-
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
3V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3V Parallel NOR Flash Memories
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85423275
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.006133