페이지 인쇄
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호S29GL256S90FHI020
주문 코드4128148
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
AKASP005664649, S29GL256S90FHI020
기술 데이터 시트
1,681 재고
더 필요하세요?
1681 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
수량 | 가격 |
---|---|
1+ | ₩11,149 |
10+ | ₩10,316 |
25+ | ₩10,048 |
50+ | ₩9,921 |
100+ | ₩9,307 |
250+ | ₩8,698 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩11,149
부품 번호 /라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호S29GL256S90FHI020
주문 코드4128148
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
AKASP005664649, S29GL256S90FHI020
기술 데이터 시트
Flash Memory TypeParallel NOR
Memory Size256Mbit
Memory Density256Mbit
Flash Memory Configuration32M x 8bit
Memory Configuration32M x 8bit
IC Interface TypeParallel
InterfacesParallel
Memory Case StyleFBGA
IC Case / PackageFBGA
No. of Pins64Pins
Clock Frequency Max-
Clock Frequency-
Access Time90ns
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom-
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
S29GL256S90FHI020 is a S29GL256S MIRRORBIT™ page-mode flash memory IC is fabricated on 65nm process technology. This device offers a fast page access time as fast as 15ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. This features a write buffer that allows a maximum of 256 words/512bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. This device is ideal for today’s embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.
- CMOS 3.0V core with versatile I/O, single supply (VCC) for read/program/erase (2.7V to 3.6V)
- Versatile I/O feature, wide I/O voltage range (VIO): 1.65V to VCC
- ×16 data bus, asynchronous 32-byte page read, 512-byte programming buffer
- Automatic error checking and correction (ECC)-internal hardware ECC with single bit error correction
- Sector erase-uniform 128kbyte sectors, advanced sector protection (ASP), 20 years data retention
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- Suspend and resume commands for program and erase operations, 100000 program/erase cycles
- Separate 1024-byte one time program (OTP) array with two lockable regions
- 90ns random access time, fortified ball-grid array package (LAA064)
- VIO=VCC=2.7V to 3.6V, lowest address sector protected, industrial (–40 to 85°C) temperature range
기술 사양
Flash Memory Type
Parallel NOR
Memory Density
256Mbit
Memory Configuration
32M x 8bit
Interfaces
Parallel
IC Case / Package
FBGA
Clock Frequency Max
-
Access Time
90ns
Supply Voltage Max
3.6V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Memory Size
256Mbit
Flash Memory Configuration
32M x 8bit
IC Interface Type
Parallel
Memory Case Style
FBGA
No. of Pins
64Pins
Clock Frequency
-
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3V Parallel NOR Flash Memories
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85423275
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.006133