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SKW25N120FKSA1
IGBT, 46 A, 3.6 V, 313 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pins
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제품 개요
The SKW25N120 is a 1200V Discrete IGBT with very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode addressing soft switching/resonant and hard switching topologies. Eoff is 30% lower when compared to previous generation combined with low conduction losses. NPT technology offers very tight parameter distribution and temperature stable behaviour.
- Short circuit withstand time 10μs
- Designed for operation above 30kHz
- High ruggedness
- Parallel switching capability
애플리케이션
Power Management, Alternative Energy, Microwave, Industrial
기술 사양
Continuous Collector Current
46A
Power Dissipation
313W
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Collector Emitter Saturation Voltage
3.6V
Transistor Case Style
TO-247AC
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
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제품 준수 증명서
무게(kg):.006