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IRG4PH40KPBF
IGBT, 1200V, 30A, TO-247AC
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더 이상 제조되지 않음
제품 개요
The IRG4PH40KPBF is a 1200V short-circuit rated Discrete (Insulated Gate Bipolar Transistor) IGBT provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations. It combines low induction losses with high switching speed. As a freewheeling diode, HEXFRED™ ultrafast, ultrasoft recovery diodes are recommended for minimum EMI/noise and switching losses in the diode and IGBT.
- High short circuit rating optimized for motor control (tsc=10µs, VCC=720V, TJ=125°C, VGE=15V)
- Latest generation 4 IGBT's offer highest power density motor controls possible
- Planar IGBT technology
- Ultrafast 8 to 30kHz switching speed
- ±20V Gate to emitter voltage
- 10µs Short-circuit withstand time
- 0.77°C/W IGBT thermal resistance, junction to case
애플리케이션
Power Management, Sensing & Instrumentation, Industrial
기술 사양
Continuous Collector Current
30A
Power Dissipation
160W
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Collector Emitter Saturation Voltage
2.74V
Transistor Case Style
TO-247AC
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
기술 문서 (1)
관련 제품
4개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Great Britain
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Great Britain
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.006