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DE150-501N04A
RF FET Transistor, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제품 개요
The DE150-501N04A is a N-channel enhancement mode RF Power MOSFET with isolated substrate for excellent thermal transfer and increased temperature and power cycling. Low gate charge and capacitances easier to drive and no beryllium oxide or other hazardous materials.
- Low Qg and Rg
- High dv/dt rating
- Nanosecond switching
애플리케이션
RF Communications
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
500V
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
DE-150
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Continuous Drain Current Id
4.5A
Operating Frequency Min
-
No. of Pins
6Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002