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DE275X2-102N06A
RF FET Transistor, 1 kV, 16 A, 1.18 kW, 100 MHz, SMD
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체IXYS RF
제조업체 부품 번호DE275X2-102N06A
주문 코드1347738
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id16A
Power Dissipation1.18kW
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max100MHz
Transistor Case StyleSMD
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
제품 개요
The DE275X2-102N06A is a matched pair RF power MOSFET device in a common source configuration. The device is optimized for push-pull or parallel operation in RF generators and amplifiers at frequencies to >65MHz very low insertion inductance and isolated substrate with excellent thermal transfer. Low gate charge and capacitances easier to drive and no beryllium oxide or other hazardous materials.
- N-channel enhancement mode
- Common source push-pull pair
- Low Qg and Rg
- High dv/dt rating
- Nanosecond switching
- Low insertion inductance
애플리케이션
RF Communications
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
1kV
Power Dissipation
1.18kW
Operating Frequency Max
100MHz
No. of Pins
8Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Continuous Drain Current Id
16A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
SMD
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.011793