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IXFK21N100F
RF FET Transistor, 1 kV, 21 A, 500 W, 500 kHz, TO-264AA
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체IXYS RF
제조업체 부품 번호IXFK21N100F
주문 코드1347758
기술 데이터 시트
Continuous Drain Current Id21A
Power Dissipation500W
Operating Frequency Min-
Transistor Case StyleTO-264AA
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
제품 개요
The IXFK21N100F is a N-channel Power MOSFET designed for use with DC-to-DC converters, SMPS/RMPS, DC choppers, pulse generation, laser drivers and RF amplifier applications. It offers low package inductance hence easy to drive and to protect.
- RF capable MOSFET
- Enhancement-mode
- Double metal process for low gate resistance
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped inductive switching rated
- High power density
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Continuous Drain Current Id
21A
Operating Frequency Min
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Power Dissipation
500W
Transistor Case Style
TO-264AA
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Through Hole
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.01