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IXFN55N50F
MOSFET Transistor, N Channel, 55 A, 500 V, 0.085 ohm, 10 V, 5.5 V
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체IXYS RF
제조업체 부품 번호IXFN55N50F
주문 코드1347748
Product RangeTUK SGACK902S Keystone Coupler
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id55A
Power Dissipation600W
Operating Frequency Min-
Drain Source On State Resistance0.085ohm
Operating Frequency Max500kHz
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Product RangeTUK SGACK902S Keystone Coupler
MSL-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
제품 개요
The IXFN55N50F is a N-channel Power MOSFET offers low package inductance hence easy to drive and to protect. It is designed for use with DC-to-DC converters, SMPS/RMPS, DC choppers, pulse generation and laser driver applications.
- RF capable MOSFET
- Enhancement-mode
- Double metal process for low gate resistance
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped inductive switching rated
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
500V
Power Dissipation
600W
Drain Source On State Resistance
0.085ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
MSL
-
Continuous Drain Current Id
55A
Operating Frequency Min
-
Operating Frequency Max
500kHz
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.03