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IXFB30N120P
Power MOSFET, N Channel, 1.2 kV, 30 A, 0.35 ohm, PLUS264, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩65,129 |
| 5+ | ₩63,125 |
| 10+ | ₩61,120 |
| 50+ | ₩59,115 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호IXFB30N120P
주문 코드3438372
Product RangePolar HiPerFET
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.35ohm
Transistor Case StylePLUS264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation1.25kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar HiPerFET
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
PLUS264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.25kW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
Polar HiPerFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.004