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IXFB44N100P
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 44 A, 0.22 ohm, PLUS264, Through Hole
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제품 정보
제조업체 부품 번호IXFB44N100P
주문 코드3438373
Product RangePolar HiPerFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source On State Resistance0.22ohm
Transistor Case StylePLUS264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation1.25kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar HiPerFET Series
Qualification-
제품 개요
IXFB44N100P is a polar™ power MOSFET HiPerFET™. Typical applications are switched-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters, laser drivers, AC and DC motor controls, robotics and servo controls.
- N-channel enhancement mode
- Avalanche rated
- Fast recovery intrinsic diode
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- Low package inductance, easy to drive and to protect
- Plus 264™ package for clip or spring mounting
- Space savings, high power density
- Voltage rating VDSS is 1000V at TJ = 25°C to 150°C
- Current rating ID25 is 44A at TC = 25°C
- Resistor RDS(on) is 220mohm at VGS=10V, ID=0.5 ID25, time trr is 300ns at F=22A, -di/dt=100A/μs
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
44A
Transistor Case Style
PLUS264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.25kW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
Polar HiPerFET Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001361