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IXFK64N50P
Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 500 V, 64 A, 0.085 ohm, TO-264, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩21,858 |
| 5+ | ₩20,653 |
| 10+ | ₩19,447 |
| 50+ | ₩19,158 |
| 100+ | ₩18,868 |
| 250+ | ₩18,491 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호IXFK64N50P
주문 코드1427314
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id64A
Drain Source On State Resistance0.085ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation830W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
제품 개요
The IXFK64N50P is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static drain-to-source ON-resistance and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.
- International standard packages
- Low Qg
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
- Avalanche rating
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control
경고
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기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
64A
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
830W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.085ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.01