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IXFN120N20
MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 200 V, 0.017 ohm, 10 V, 4 V
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체 부품 번호IXFN120N20
주문 코드9359257
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source Voltage Vds200V
Drain Source On State Resistance0.017ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
제품 개요
The IXFN120N20 is a 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0 flammability
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
- Low inductance
- High power density
- Easy to mount
- Space-saving s
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Lighting
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
120A
Drain Source On State Resistance
0.017ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.043545