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IXFN140N20P
MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 140 A, 200 V, 0.018 ohm, 10 V, 5 V
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제품 정보
제조업체 부품 번호IXFN140N20P
주문 코드1427319
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id140A
Drain Source Voltage Vds200V
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StyleISOTOP
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Transistor MountingModule
Power Dissipation680W
Operating Temperature Max175°C
No. of Pins4Pins
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
제품 개요
The IXFN140N20P is a PolarHT™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density.
- International standard packages
- Unclamped inductive switching (UIS) rating
- Low package inductance - Easy to drive and to protect
- Easy to mount
- Space saving
애플리케이션
Power Management
경고
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기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Transistor Case Style
ISOTOP
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
680W
No. of Pins
4Pins
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Continuous Drain Current Id
140A
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Mounting
Module
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.311618