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IXFN200N10P
MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 200 A, 100 V, 7500 µohm, 15 V, 5 V
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제품 정보
제조업체 부품 번호IXFN200N10P복사
제조업체 표준 리드 타임24주
주문 코드1427322
Product RangePolar(TM) HiPerFET
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance7500µohm
Rds(on) Test Voltage15V
Transistor Case StyleISOTOP
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Transistor MountingModule
Power Dissipation680W
Operating Temperature Max175°C
No. of Pins4Pins
Product RangePolar(TM) HiPerFET
MSL-
SVHCTo Be Advised
제품 개요
The IXFN200N10P is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0, flammability classification
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- High power density
- Space savings
애플리케이션
Power Management, Lighting
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Rds(on) Test Voltage
15V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
680W
No. of Pins
4Pins
MSL
-
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
7500µohm
Transistor Case Style
ISOTOP
Transistor Mounting
Module
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
Polar(TM) HiPerFET
SVHC
To Be Advised
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
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제품 준수 증명서
무게(kg):.03