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제품 정보
제조업체 부품 번호IXFN24N100
주문 코드4905568
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id24A
Drain Source Voltage Vds1kV
Drain Source On State Resistance0.39ohm
Transistor Case StyleISOTOP
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Transistor MountingModule
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins3Pins
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
제품 개요
The IXFN24N100 is a HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.
- International standard package
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- UL94V-0 Flammability rating
- Low RDS (ON) HDMOS™ process
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
애플리케이션
Power Management, Industrial, Motor Drive & Control
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
Transistor Case Style
ISOTOP
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Power Dissipation
600W
No. of Pins
3Pins
MSL
-
Continuous Drain Current Id
24A
Drain Source On State Resistance
0.39ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Mounting
Module
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.04