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IXFN80N50
MOSFET Transistor, HiPerFET, N Channel, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
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제품 정보
제조업체 부품 번호IXFN80N50
주문 코드7348029
Product RangeHiPerFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source Voltage Vds500V
Drain Source On State Resistance0.055ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation780W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHiPerFET Series
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
제품 개요
The IXFN80N50 is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC, with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- High dv/dt rating
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
애플리케이션
Power Management, Lighting, Motor Drive & Control
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
780W
Product Range
HiPerFET Series
Continuous Drain Current Id
80A
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.234507