IXGF32N170

IGBT, 44 A, 3.5 V, 200 W, 1.7 kV, ISOPLUS i4-PAC, 3 Pins

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IXYS SEMICONDUCTOR IXGF32N170
제조업체IXYS SEMICONDUCTOR
제조업체 부품 번호IXGF32N170
주문 코드1300108
귀하의 부품 번호
더 이상 제조되지 않음

제품 정보

제조업체IXYS SEMICONDUCTOR
제조업체 부품 번호IXGF32N170
주문 코드1300108
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current44A
Collector Emitter Saturation Voltage3.5V
Power Dissipation200W
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
Transistor Case StyleISOPLUS i4-PAC
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)

제품 개요

The IXGF32N170 is a High Voltage IGBT for use with surface-mounting applications, capacitor discharge and pulse circuits.

  • Electrically isolated tab
  • High current handling capability
  • Rugged NPT structure
  • High power density
  • UL94V-0 Flammability rating

애플리케이션

Motor Drive & Control, Power Management

경고

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

기술 사양

Continuous Collector Current

44A

Power Dissipation

200W

Transistor Case Style

ISOPLUS i4-PAC

Operating Temperature Max

150°C

Product Range

-

SVHC

No SVHC (17-Jan-2023)

Collector Emitter Saturation Voltage

3.5V

Collector Emitter Voltage Max

1.7kV

No. of Pins

3Pins

Transistor Mounting

Through Hole

MSL

-

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법률 및 환경

원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:
Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:

RoHS

RoHS 프탈레이트 준수:

RoHS

SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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제품 준수 증명서

무게(kg):.006