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IXTH10P60
Power MOSFET, P Channel, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩20,405 |
| 5+ | ₩18,767 |
| 10+ | ₩17,128 |
| 50+ | ₩15,489 |
| 100+ | ₩14,089 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호IXTH10P60
주문 코드3438411
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance1ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
1ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001361