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IXTN210P10T
MOSFET Transistor, P Channel, 210 A, 100 V, 0.0075 ohm, 10 V, 4.5 V, SOT-227B
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제품 정보
제조업체 부품 번호IXTN210P10T
주문 코드3438414
Product RangeTrenchP
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id210A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation830W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchP
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
제품 개요
IXTN210P10T is a TrenchP™ power MOSFET. Suitable for high-side switching, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators and battery charger applications.
- P-channel enhancement mode
- Avalanche rated and fast intrinsic rectifier
- International standard package
- Low intrinsic gate resistance
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Extended FBSOA and low RDS(ON) and QG
- Easy to mount, space savings and high power density
- 210A continuous drain current Id
- 100V drain source voltage Vds, 10V Rds(on) test voltage, 4.5V max gate source threshold voltage
- 0.0075ohm drain source on state resistance
기술 사양
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
830W
Product Range
TrenchP
Continuous Drain Current Id
210A
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.004