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IXTY1R4N60P
MOSFET, N, D-PAK
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체 부품 번호IXTY1R4N60P
주문 코드1427393
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance9ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation50W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
IXTY1R4N60P의 대체 제품
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기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
9ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
기술 문서 (1)
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0003