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IXFN210N30P3
MOSFET Transistor, N Channel, 192 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩63,272 |
| 5+ | ₩61,289 |
| 10+ | ₩59,306 |
| 50+ | ₩57,323 |
| 100+ | ₩56,357 |
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXFN210N30P3
주문 코드3930486
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id192A
Drain Source Voltage Vds300V
Drain Source On State Resistance0.0145ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.5kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
제품 개요
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic rectifier. It Is suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Dynamic dv/dt rating
- Low RDS(on)
- Low drain-to-tab capacitance
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
300V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.5kW
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
192A
Drain Source On State Resistance
0.0145ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001